檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "高振宏".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="李嘉平"
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The Au-Cu-Sn system was thermodynamically assessed with CALPHAD method in order to obtain an optimi…
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本研究針對Ti-Cr-Mn及Ti-V-Mn儲氫合金，以實驗方法探討相平衡，以提供氫能源產業在儲氫容研究時的參考。在相關文獻中，Ti、V、Cr、Mn四種元素形成的儲氫合金皆具有相當良好的儲氫容，而成為…
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摘 要 本研究主要是探討錫-銀-銅合金與金基材界面反應。區分為三個不同錫濃度系統：96.5wt％Sn、95.5wt％Sn、95.0wt％Sn，分別與金基材進行固相/固相界面反應，反應溫度為15…
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銅與銀是目前電子工業中常使用的金屬基材材料，純錫、錫-3.0wt.％銀-0.5wt.%銅、錫-58.0wt.％鉍、錫-9.0wt.％鋅為最具潛力的無鉛銲錫合金。故本研究針對構裝製程中常使用的銅、銀金…
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銀-銅-錫三元合金以及銅-錫二元合金是市面上熱門的無鉛銲料，而金常用於PCB中的電鍍材料及基層材料，也是覆晶(flip chip)製程中主要的凸塊下金屬化(under bump metallurgy…
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本研究針對Sn-Cu及Sn-Zn系無鉛銲料，以實驗方法探討相平衡及界面反應，以提供電子構裝產業在無鉛銲接時的參考。 Sn-Cu-Au三元系統在200℃相平衡實驗顯示，存在兩連續固溶相，χ ( …
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本文研究以實驗觀察的方法來決定Sn-Sb-Ag 三元系統在400℃、260℃、150℃的等溫截面相圖，實驗結果顯示 Sn-Sb-Ag系統不存在三元化合物，有二個完全互溶的區域，其中一個為Ag3Sn及…
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本研究以先驅物(hfac)CuI(COD)在不同的TaNx阻障層上，利用化學氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)進行沉積銅晶種層(Seed l…
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本文首先研究J型引腳小外型封裝(SOJ)與SnPb焊料間所生成之介金屬化合物，此介金屬化合物之形成與生長與印刷電路板(PCB)之表面處理與熱機械疲勞(TMF)有關。由實驗結果可知，在剛焊接完且使用A…
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本研究主要提出一種新穎的二階段化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)成長銅晶種層(Seed layer)於氮化鉭(TaNx)阻障層薄膜的應用之…